《科学》杂志报道，清华大学物理系的季帅华助理教授和陈曦教授团队合作，在铁电薄膜方面取得重要进展。

　　清华大学博士生常凯等同学利用分子束外延技术成功制备出高质量、原子级厚度的SnTe薄膜，并利用扫描隧道显微镜（STM）观测到铁电畴、极化电荷引起的能带弯曲，以及STM针尖诱导的极化翻转，证明单原胞厚度的SnTe薄膜存在稳定的铁电性。

　　分析表明，铁电体在临界转变温度之下出现自发极化。量子尺度效应引起的能隙增大、高质量薄膜中缺陷密度以及载流子浓度的降低，是铁电增强的重要原因。同时，薄膜厚度的降低导致面内晶格增大在铁电性增强上起到部分作用。具有面内极化方向的SnTe铁电薄膜在电子器件方面有着潜在的广泛应用前景。