近日出版的《先进材料》报道，合肥工业大学王敏教授和陈翌庆教授团队与韩国科研人员合作，提出一种新的界面限域外延生长方法，首次制备出大晶粒非层状结构的硒化镍薄膜，并成功将其构筑为光探测器阵列，为新一代柔性图像传感器研发提供了新的方法。

　　这种新型材料薄膜的晶粒达到微米尺度，晶粒间的晶界减少，显著降低了晶界对载流子的散射，从而大幅提高了光探测器的响应度。实验结果表明，基于微米尺度晶粒的高质量硒化镍薄膜所制备的光探测器，每瓦光照可以获得150安培电流，其响应度比纳米尺度晶粒的薄膜提高了4个量级。