近日出版的ACS Nano报道，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员沈国震团队，与香港科技大学教授范智勇课题组合作，在柔性紫外成像的研究中取得新进展。

　　该团队采用在单晶Zn2SnO4纳米线表面修饰ZnO量子点的方法，成功研制出一种同时具备高光电导增益、低暗电流和快响应速度等特点的柔性紫外图像传感器。该器件制作在柔性PET薄膜衬底上，具有优异的可弯曲性和机械稳定性。由于Zn₂SnO₄纳米线和ZnO量子点之间形成了II型异质结，使得其光电导增益高达1.1×10⁷，比探测率为9.0×10¹⁷ Jones，响应时间仅为47ms。此外他们还进行了理论模拟，结果与实验数据相吻合。