近日，美国威斯康星大学麦迪逊分校的材料学家成功研制了1英寸大小的碳纳米晶体管，首次在性能上超越了硅晶体管和砷化镓晶体管。

　　碳纳米晶体管由碳纳米管作为沟道导电材料制作而成，其管壁只有一个原子厚，这种材料导电性能好，体积比硅晶体管小100倍。碳纳米晶体管的超小空间能快速改变流经的电流方向，因此能达到5倍于硅晶体管的速度，能耗只有硅晶体管的1/5。

　　传统碳纳米管内常会混杂一些金属纳米管，会造成电子装置短路，破坏碳纳米管的导电性能。研究人员这次利用聚合物取代几乎所有金属纳米管，将金属纳米管含量降到0.01%以下，大大提升导电性能。

　　该研究团队还在工艺上做出改善，研发出溶解方法成功移除碳纳米管制造过程中产生的残渣。