高密度电子封装材料与器件联合实验室成立于2011年3月29日，由深圳先进院原先进材料研究中心孙蓉研究员团队和香港中文大学汪正平院士团队共同组建，于2012年获认定为“中科院—香港地区联合实验室”，在2018年中科院与香港地区联合实验室评估中，获评“优秀”，名列第一。

　　实验室以先进电子封装材料及成套工艺为核心，聚焦电子封装材料的电学、热学、力学等关键科学问题，具体包括高密度倒装芯片关键材料、高性能热界面材料、3DIC互联集成关键材料、埋入式功能材料、高密度高频基板基础材料、气密性封装材料与工艺。立足基础研究，不遗余力地致力于产业化。

　　截至2018年11月，实验室人员共86人，其中院士1人，研究员、副研究员等全职科研人员20人，实验室科研人员年龄结构分布合理（老、中、青），以中青年骨干为主体，科研团队知识结构分布合理（学术带头人、研究骨干、研究助理、技术人员），人才分布形成梯队。

　　已共同发表300余篇论文（其中SCI收录近200篇）；共申请了200余件专利，获得授权专利90余件；申请近20个PCT专利，获得授权3件；共举办20余次国内国际会议，已累计联合培养了80多位硕博士研究生。已孵化两家电子材料方面的新材料公司，参与制订了国家级行业标准1项；在埋入式电容材料、电子级纳米球形二氧化硅材料等方面制定企业标准12件；完成埋入式电容材料、晶圆减薄临时键合胶材料、应用于透明导电薄膜的银纳米线材料从材料制备—工艺设备—器件集成全链条解决方案，并已完成成果转化。